肖特基二極管與普通二極管在結構、性能和應用場景上存在顯著差異，這些差異源于其核心原理的不同。以下結合新邦微 SS520B 肖特基二極管的特性，詳細說明兩者的區別。

一、核心結構與工作原理差異

· 普通二極管：由 P 型和 N 型半導體形成 PN 結，導通時需要電子和空穴復合，存在固定的正向導通電壓（硅管約 0.7V，鍺管約 0.3V），且反向恢復時間較長。

· 肖特基二極管：以金屬與半導體接觸形成的 “肖特基勢壘” 為核心，導通時僅需電子參與導電，無需載流子復合，因此具有更低的正向壓降和極短的反向恢復時間。新邦微 SS520B 的正向電壓在 5A 電流下僅為 0.95V，遠低于同規格普通硅二極管的 1V 以上，這一特性使其在高頻場景中效率更高。

二、關鍵性能參數對比

三、應用場景差異

· 普通二極管：適用于低頻整流（如工頻 50/60Hz 電源）、反向耐壓要求高的場景，或對反向漏電流敏感的電路。

· 肖特基二極管：因高頻特性和低功耗，廣泛用于高頻整流（如開關電源）、續流二極管（如電機驅動）、低壓大電流電路（如充電寶、汽車電子）。以 SS520B 為例，其 200V 反向耐壓、5A 平均正向電流及 120A 浪涌能力，使其適用于車載充電器、LED 電源等需要高效整流的設備。

四、新邦微 SS520B 的肖特基特性優勢

SS520B 作為典型的肖特基二極管，集中體現了該類器件的核心優勢：

高效節能：低正向壓降減少導通損耗，比普通硅二極管節能約 15%-20%；

抗浪涌能力：120A 的峰值浪涌電流（8.3ms）能承受瞬間大電流沖擊，適合電源啟動或負載突變場景；

貼片設計：采用 DO-214AA/SMB 封裝，支持表面貼裝和自動化生產，滿足小型化設備需求（如智能手機快充模塊）。

總結

肖特基二極管通過金屬 - 半導體結構實現了低功耗、高頻響應的特性，而普通二極管則在高反向耐壓和低漏電流上更具優勢。新邦微 SS520B 憑借 200V 耐壓、5A 電流及高效特性，成為低壓高頻整流場景的理想選擇，凸顯了肖特基二極管在現代電子設備中的不可替代性。